JMTK3002B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTK3002B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 574 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: TO252

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMTK3002B datasheet

..1. Size:982K jiejie micro
jmtk3002b.pdf pdf_icon

JMTK3002B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 180A Load Switch RDS(ON)

7.1. Size:1287K jiejie micro
jmtk3006d.pdf pdf_icon

30V, 80A, 6.3m N-channel Power Trench MOSFET JMTK3006D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 80 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.3 mW Applications Load Switch PWM Application Pow

7.2. Size:1076K jiejie micro
jmtk3005a.pdf pdf_icon