JMTK3005B Todos los transistores

 

JMTK3005B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTK3005B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 81 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMTK3005B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1287K  jiejie micro
 jmtk3005b.pdf pdf_icon

JMTK3005B

30V, 90A, 4.6m N-channel Power Trench MOSFETJMTK3005BProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 90 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.9 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 4.6 mWApplications Load Switch PWM Application Pow

 6.1. Size:1076K  jiejie micro
 jmtk3005a.pdf pdf_icon

JMTK3005B

JMTK3005ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications Load Switch 30V, 100A PWM ApplicationRDS(ON)

 6.2. Size:1254K  jiejie micro
 jmtk3005c.pdf pdf_icon

JMTK3005B

30V, 94A, 6.0m N-channel Power Trench MOSFETJMTK3005CProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 94 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.0 mW Load Switch PWM Application Pow

 6.3. Size:576K  jiejie micro
 jmtk3005l.pdf pdf_icon

JMTK3005B

JMTK3005L Description JMT N-channel MOSFET Features Application 30V, 90A Load Switch R

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History: BL3N90E-D | PJA3404 | CJP05N60 | IPD90P04P4-05

 

 
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