JMTK3005L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTK3005L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO252

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JMTK3005L datasheet

 ..1. Size:576K  jiejie micro
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JMTK3005L

JMTK3005L Description JMT N-channel MOSFET Features Application 30V, 90A Load Switch R

 6.1. Size:1076K  jiejie micro
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JMTK3005L

JMTK3005A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications Load Switch 30V, 100A PWM Application RDS(ON)

 6.2. Size:1287K  jiejie micro
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JMTK3005L

30V, 90A, 4.6m N-channel Power Trench MOSFET JMTK3005B Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.9 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 4.6 mW Applications Load Switch PWM Application Pow

 6.3. Size:1254K  jiejie micro
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JMTK3005L

30V, 94A, 6.0m N-channel Power Trench MOSFET JMTK3005C Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 94 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.0 mW Load Switch PWM Application Pow

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