JMTK3005L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTK3005L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de JMTK3005L MOSFET
JMTK3005L Datasheet (PDF)
jmtk3005l.pdf

JMTK3005L Description JMT N-channel MOSFET Features Application 30V, 90A Load Switch R
jmtk3005a.pdf

JMTK3005ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications Load Switch 30V, 100A PWM ApplicationRDS(ON)
jmtk3005b.pdf

30V, 90A, 4.6m N-channel Power Trench MOSFETJMTK3005BProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 90 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.9 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 4.6 mWApplications Load Switch PWM Application Pow
jmtk3005c.pdf

30V, 94A, 6.0m N-channel Power Trench MOSFETJMTK3005CProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 94 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.0 mW Load Switch PWM Application Pow
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History: JMTM8205A | JMTM8810KS
History: JMTM8205A | JMTM8810KS



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