JMTQ11DP03A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ11DP03A

Código: Q11DP03A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.7 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 1.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

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JMTQ11DP03A datasheet

 ..1. Size:1355K  jiejie micro
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JMTQ11DP03A

-30V, -12A, 87m P-channel Power Trench MOSFET JMTQ11DP03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -12 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 62 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 87 mW Applications Load Switch

 7.1. Size:416K  jiejie micro
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JMTQ11DP03A

JMTQ11DN10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V,10A Load Switch R

 9.1. Size:607K  jiejie micro
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JMTQ11DP03A

JMTQ120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 11A Battery Protection R

 9.2. Size:467K  jiejie micro
 jmtq130p04a.pdf pdf_icon

JMTQ11DP03A

JMTQ130P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -30A PWM Applications DS D R

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