DMN26D0UDJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMN26D0UDJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT963

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMN26D0UDJ

DMN26D0UDJ Datasheet (PDF)

..1. Size:325K diodes
dmn26d0udj.pdf

DMN26D0UDJ DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(on) TA = +25C Low On-Resistance: 3.0 @ VGS= 4.5V 240mA 3.0@ 4.5V 20V 180mA 6.0 @ VGS= 1.8V 4.0@ 2.5V 6.0@1.8V 10@1.5V Description Very Low Gate Threshold Voltage, 1.05V Max This new

6.1. Size:145K diodes
dmn26d0ut.pdf

DMN26D0UTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance: Case: SOT-523 3.0 @ 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 4.0 @ 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 6.0 @ 1.8V

6.2. Size:122K diodes
dmn26d0ufb4.pdf

DMN26D0UFB4N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data N-Channel MOSFET Case: DFN1006H4-3 Low On-Resistance: Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 3.0 @ 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 4.0 @ 2.5V Terminal Connections: See Diag

6.3. Size:1814K cn tech public
tpdmn26d0ufb4.pdf

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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