JMTQ120N03A Todos los transistores

 

JMTQ120N03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTQ120N03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0118 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMTQ120N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  jiejie micro
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JMTQ120N03A

JMTQ120N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 18A Load SwitchRDS(ON)

 4.1. Size:526K  jiejie micro
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JMTQ120N03A

JMTQ120N03DDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications Load Switch 30V, 15A PWM ApplicationRDS(ON)

 5.1. Size:1391K  jiejie micro
 jmtq120n04d.pdf pdf_icon

JMTQ120N03A

40V, 29A, 15m N-channel Power Trench MOSFETJMTQ120N04DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 29 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 14 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 15 mWApplications Load Switch PWM

 7.1. Size:607K  jiejie micro
 jmtq120c03d.pdf pdf_icon

JMTQ120N03A

JMTQ120C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 11A Battery ProtectionR

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