JMTQ120N04D Todos los transistores

 

JMTQ120N04D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTQ120N04D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L-D
 

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JMTQ120N04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1391K  jiejie micro
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JMTQ120N04D

40V, 29A, 15m N-channel Power Trench MOSFETJMTQ120N04DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 29 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 14 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 15 mWApplications Load Switch PWM

 5.1. Size:526K  jiejie micro
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JMTQ120N04D

JMTQ120N03DDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications Load Switch 30V, 15A PWM ApplicationRDS(ON)

 5.2. Size:479K  jiejie micro
 jmtq120n03a.pdf pdf_icon

JMTQ120N04D

JMTQ120N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 18A Load SwitchRDS(ON)

 7.1. Size:607K  jiejie micro
 jmtq120c03d.pdf pdf_icon

JMTQ120N04D

JMTQ120C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 11A Battery ProtectionR

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History: JMTQ120N03A

 

 
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