JMSL0406AUQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0406AUQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 536 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

 Búsqueda de reemplazo de JMSL0406AUQ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSL0406AUQ datasheet

 ..1. Size:302K  jiejie micro
jmsl0406auq.pdf pdf_icon

JMSL0406AUQ

 4.1. Size:305K  jiejie micro
jmsl0406au.pdf pdf_icon

JMSL0406AUQ

 5.1. Size:289K  1
jmsl0406ag.pdf pdf_icon

JMSL0406AUQ

JMSL0406AG 40V 4.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.2 m Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

 5.2. Size:557K  jiejie micro
jmsl0406agdq.pdf pdf_icon

JMSL0406AUQ

JMSL0406AGDQ 40V 5.5mW Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 49 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.5 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 7.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qu

Otros transistores... JMTQ200P03A, JMTQ220N04D, JMTQ230N04D, JMTQ240C03D, JMTQ240N03A, JMTQ240N03D, JMSL0406AP, JMSL0406AU, IRFP064N, JMSL0406PG, JMSL0406PGD, JMSL0406PK, JMSL0406PU, JMSL040SAG, JMSL040SAGQ, JMSL040SMTL, JMSL040SPG