JMSL0406PGD Todos los transistores

 

JMSL0406PGD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0406PGD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 645 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
 

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JMSL0406PGD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1179K  jiejie micro
jmsl0406pgd.pdf pdf_icon

JMSL0406PGD

40V, 50A, 5.4m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSL0406PGDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 50 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.9 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.4 mW Load Switch PWM Application

 4.1. Size:1205K  jiejie micro
jmsl0406pg.pdf pdf_icon

JMSL0406PGD

40V, 103A, 5.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0406PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 103 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.7 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.3 mW Load Switch PWM Application Pow

 5.1. Size:1190K  jiejie micro
jmsl0406pk.pdf pdf_icon

JMSL0406PGD

40V, 97A, 5.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0406PKProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 97 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power

 5.2. Size:1234K  jiejie micro
jmsl0406pu.pdf pdf_icon

JMSL0406PGD

40V, 59A, 4.7m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0406PUProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 59 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.5 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=6V 4.7 mWApplications Load Switch PWM Ap

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