DMN2990UDJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN2990UDJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.99 Ohm

Encapsulados: SOT963

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DMN2990UDJ datasheet

 ..1. Size:397K  diodes
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DMN2990UDJ

DMN2990UDJ DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET ID Max V(BR)DSS RDS(ON) Max Low On-Resistance TA = 25 C Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max 0.99 @ VGS = 4.5V 450mA Low Input Capacitance 1.2 @ VGS = 2.5V 400mA Fast Switching Speed 20V 1.8 @ VGS = 1.8V 330mA Ultra-Small Surface

 6.1. Size:138K  diodes
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DMN2990UDJ

DMN2990UFA 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package height ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C 0.48mm2 package footprint, 16 times smaller than SOT23 Low On-Resistance 0.99 @ VGS = 4.5V 510mA Very low Gate Threshold Voltage, 1.0V max 1.2 @ VGS = 2.5V 470mA 20V ESD Pr

 6.2. Size:243K  diodes
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DMN2990UDJ

DMN2990UFZ 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Package Profile, 0.42mm Maximum Package Height ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C 0.62mm x 0.62mm Package Footprint Low On-Resistance 0.99 @ VGS = 4.5V 250mA Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max 1.2 @ VGS = 2.5V 230mA 20V ESD Protected Gate 1.8

Otros transistores... DMN2300U, DMN2300UFB, DMN2300UFB4, DMN2400UFB4, DMN2400UV, DMN26D0UDJ, DMN26D0UFB4, DMN26D0UT, IRF1404, ZXM61N02F, ZXM62N02E6, ZXM64N02X, ZXMD63N02X, ZXMN2088DE6, ZXMN2A01E6, ZXMN2A01F, ZXMN2A02N8