JMTK050P03A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTK050P03A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm

Encapsulados: TO252-4R

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JMTK050P03A datasheet

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JMTK050P03A

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JMTK050P03A

-30V, -90A, 4.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTK060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 4.2 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 6.3 mW Applications Load Switc

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JMTK050P03A

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JMTK050P03A

JMTK060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 120A Load Switch R

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