JMTK050P03A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTK050P03A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4R
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMTK050P03A
Principales características: JMTK050P03A
jmtk060p03a.pdf
-30V, -90A, 4.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTK060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 4.2 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 6.3 mW Applications Load Switc
jmtk060n06a.pdf
JMTK060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 120A Load Switch R
Otros transistores... JMTI210P02A , JMTI290N06A , JMTI3005A , JMTI320N10A , JMTI50N06B , JMTI60N04A , JMTK018N03A , JMTK035N04L , 2N7000 , JMTK060N06A , JMTK060P03A , JMTK068N07A , JMTK080P03A , JMTP045N03A , JMTP075N06A , JMTP080N04A , JMTP080N04D .
History: NDS9948 | JMTP045N03A
History: NDS9948 | JMTP045N03A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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