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JMTP110N06A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTP110N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMTP110N06A

 

Principales características: JMTP110N06A

 ..1. Size:582K  jiejie micro
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JMTP110N06A

JMTP110N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,12A Load Switch R

 4.1. Size:1274K  jiejie micro
 jmtp110n06d.pdf pdf_icon

JMTP110N06A

 8.1. Size:583K  jiejie micro
 jmtp11dn10a.pdf pdf_icon

JMTP110N06A

JMTP11DN10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 3A Load Switch R

 9.1. Size:1383K  jiejie micro
 jmtp160p03d.pdf pdf_icon

JMTP110N06A

-30V, -11A, 16m P-channel Power Trench MOSFET JMTP160P03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ -1.7 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 12 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 16 mW Load Switch PWM Application

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