JMTQ075N03D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTQ075N03D 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 162 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0118 Ohm
Encapsulados: PDFN3X3-8L-D
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JMTQ075N03D datasheet
jmtq075n03d.pdf
JMTQ075N03D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 25A Load Switch RDS(ON)
jmtq055n04a.pdf
JMTQ055N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 70A Load Switch RDS(ON)
jmtq040n03a.pdf
JMTQ040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 60A Load Switch RDS(ON)
jmtq062n04a.pdf
JMTQ062N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 50A Load Switch RDS(ON)
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