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JMSL10130AK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL10130AK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.138 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMSL10130AK

 

Principales características: JMSL10130AK

 ..1. Size:334K  jiejie micro
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JMSL10130AK

JMSL10130AK 100V 115m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Low Gate Charge VDS 100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th) 1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 6A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 115 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 144 m Applications Power Managerment in Telecom., Industria

 4.1. Size:289K  jiejie micro
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JMSL10130AK

JMSL10130AUD 100V 100m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 10 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 100 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 123 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Ma

 4.2. Size:329K  jiejie micro
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JMSL10130AK

JMSL10130APD 100V 111m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 2.4 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 111 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 155 m Applications Power Managerment

 4.3. Size:279K  jiejie micro
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History: JMSL0608PK

 

 
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