JMSL10130AUD Todos los transistores

 

JMSL10130AUD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL10130AUD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L-D
 

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JMSL10130AUD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  jiejie micro
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JMSL10130AUD

JMSL10130AUD100V 100m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 10 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 100 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)123 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Ma

 4.1. Size:329K  jiejie micro
 jmsl10130apd.pdf pdf_icon

JMSL10130AUD

JMSL10130APD100V 111m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low Gate Charge VDS100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 2.4 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)111 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)155 mApplications Power Managerment

 4.2. Size:334K  jiejie micro
 jmsl10130ak.pdf pdf_icon

JMSL10130AUD

JMSL10130AK100V 115m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Low Gate Charge VDS100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 6A RDS(ON) (@ VGS = 10V)115 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)144 mApplications Power Managerment in Telecom., Industria

 4.3. Size:279K  jiejie micro
 jmsl10130agd.pdf pdf_icon

JMSL10130AUD

JMSL10130AGD100V 99mDualN-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low Gate Charge VDS100 V Fast Switching VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 10 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)99 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)120 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications

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