JMTK3006E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTK3006E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de JMTK3006E MOSFET
JMTK3006E Datasheet (PDF)
jmtk3006e.pdf

30V, 61A,7.0m N-channel Power Trench MOSFETJMTK3006EProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.4 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 61 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.3 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 7.0 mWApplications Load Switch PWM Application Powe
jmtk3006d.pdf

30V, 80A, 6.3m N-channel Power Trench MOSFETJMTK3006DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 80 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.3 mWApplications Load Switch PWM Application Pow
jmtk3006b.pdf

JMTK3006BDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 70A Load SwitchRDS(ON)
jmtk3006c.pdf

30V, 62A, 6.1m N-channel Power Trench MOSFETJMTK3006CProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 62 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.3 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.1 mW Load Switch PWM Application Pow
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