JMTK320N10A Todos los transistores

 

JMTK320N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTK320N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0278 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMTK320N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1260K  jiejie micro
 jmtk320n10a.pdf pdf_icon

JMTK320N10A

100V, 30A, 23.1m N-channel Power Trench MOSFETJMTK320N10AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 30 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 21.4 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 23.1 mW PWM Application

 9.1. Size:1287K  jiejie micro
 jmtk3006d.pdf pdf_icon

JMTK320N10A

30V, 80A, 6.3m N-channel Power Trench MOSFETJMTK3006DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 80 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.3 mWApplications Load Switch PWM Application Pow

 9.2. Size:1076K  jiejie micro
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JMTK320N10A

JMTK3005ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications Load Switch 30V, 100A PWM ApplicationRDS(ON)

 9.3. Size:884K  jiejie micro
 jmtk3006b.pdf pdf_icon

JMTK320N10A

JMTK3006BDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 70A Load SwitchRDS(ON)

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History: JMH65R110PCFD | IRFR210 | JMH65R190AC | JMTK3006C | JMTK50P03A | JMPE34N20BJ | JMTK50P02A

 

 
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