JMSL0609AGWQ Todos los transistores

 

JMSL0609AGWQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0609AGWQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 67 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 309 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-W
 

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JMSL0609AGWQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  jiejie micro
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JMSL0609AGWQ

JMSL0609AGWQ60V 7.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 67 A Wettable Flanks design support high manufacturability and RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.2 mAutomated Optical Inspection (AOI) RDS(ON)_Typ (@ VGS

 4.1. Size:348K  jiejie micro
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JMSL0609AGWQ

JMSL0609AG60V 7.2m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 43 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)9.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managem

 4.2. Size:414K  jiejie micro
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JMSL0609AGWQ

JMSL0609AGQ60V 7.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 67 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)9.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 5.1. Size:319K  jiejie micro
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JMSL0609AGWQ

JMSL0609AP60V 7.5m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 13.6 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)9.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Manag

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History: SSF1341 | US6K2 | JMSH1509AE

 

 
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