JMTK500N10A Todos los transistores

 

JMTK500N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTK500N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMTK500N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1174K  jiejie micro
 jmtk500n10a.pdf pdf_icon

JMTK500N10A

100V, 20A, 36m N-channel Power Trench MOSFETJMTK500N10AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 20 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 34 mWApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 36 mW Load Switch PWM Application Po

 8.1. Size:878K  jiejie micro
 jmtk50n03a.pdf pdf_icon

JMTK500N10A

JMTK50N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 50A Load SwitchRDS(ON)

 8.2. Size:1184K  jiejie micro
 jmtk50n06b.pdf pdf_icon

JMTK500N10A

60V, 50A, 13.7m N-channel Power Trench MOSFETJMTK50N06BProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 50 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 12.2 mWApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 13.7 mW Load Switch PWM Application

 8.3. Size:612K  jiejie micro
 jmtk50p02a.pdf pdf_icon

JMTK500N10A

JMTK50P02A Description JMT P-channel MOSFET Features Application V =-20V, I =-60A PWM Applications DS DR

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History: SSF2145CH6 | JMTK10N10A | JMSL0608PGD | CSD19536KTT | JMSL0606AKQ | JMSL1013AGD

 

 
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