JMTK58N06B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTK58N06B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 186 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO252

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JMTK58N06B datasheet

 ..1. Size:1253K  jiejie micro
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JMTK58N06B

60V, 58A, 9.2m N-channel Power Trench MOSFET JMTK58N06B Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 58 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8.1 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 9.2 mW Applications Load Switch P

 9.1. Size:878K  jiejie micro
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JMTK58N06B

JMTK50N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 50A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:1174K  jiejie micro
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JMTK58N06B

100V, 20A, 36m N-channel Power Trench MOSFET JMTK500N10A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 20 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 34 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 36 mW Load Switch PWM Application Po

 9.3. Size:1184K  jiejie micro
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JMTK58N06B

60V, 50A, 13.7m N-channel Power Trench MOSFET JMTK50N06B Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 50 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 12.2 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 13.7 mW Load Switch PWM Application

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