JMSL0611PUD Todos los transistores

 

JMSL0611PUD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0611PUD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0147 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L-D
 

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JMSL0611PUD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1379K  jiejie micro
 jmsl0611pud.pdf pdf_icon

JMSL0611PUD

60V, 34A, 14.6m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSL0611PUDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 34 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 11.3 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 14.6 mWApplications Load Switch

 4.1. Size:1234K  jiejie micro
 jmsl0611pu.pdf pdf_icon

JMSL0611PUD

60V, 34A, 12.2m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0611PUProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 34 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.0 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 12.2 mWApplications Load Switch PW

 5.1. Size:1230K  jiejie micro
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JMSL0611PUD

60V, 10A, 12.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0611PPProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 10 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.1 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 12.3 mWApplications Load Switch PW

 5.2. Size:1271K  jiejie micro
 jmsl0611pg.pdf pdf_icon

JMSL0611PUD

60V, 69A, 12.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0611PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 69 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.1 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 12.3 mWApplications Load Switch PW

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History: R6030MNX | STP4N150 | FDD45AN06LA0 | JMSH1018PE | IRF1018EPBF | IPT60R022S7 | JMSH1018AE

 

 
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