JMSL0612PU Todos los transistores

 

JMSL0612PU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0612PU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 444 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMSL0612PU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1235K  jiejie micro
 jmsl0612pu.pdf pdf_icon

JMSL0612PU

60V, 40A, 10.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0612PUProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 40 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.4 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 10.6 mWApplications Load Switch PW

 5.1. Size:1237K  jiejie micro
 jmsl0612pp.pdf pdf_icon

JMSL0612PU

60V, 11A, 11.4 m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0612PPProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 11 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8.0 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 11.4 mWApplications Load Switch P

 5.2. Size:1192K  jiejie micro
 jmsl0612pg.pdf pdf_icon

JMSL0612PU

60V, 67A, 10.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0612PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.9 VID(@VGS=10V) 67 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.4 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 10.5 mWApplications Load Switch PWM Application Pow

 5.3. Size:1193K  jiejie micro
 jmsl0612pgq.pdf pdf_icon

JMSL0612PU

60V, 72A, 10.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0612PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 60 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.9 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 72 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.4 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 10.5 mWApplications

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