JMSL1018AKQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSL1018AKQ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 171 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0188 Ohm
Encapsulados: TO252
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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
JMSL1018AKQ datasheet
jmsl1018akq.pdf
JMSL1018AKQ 100V 15.0mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 45 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 15.0 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 19.5 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified
jmsl1018ak.pdf
JMSL1018AK 100V 14m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ 1.9 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Halogen-free and RoHS-compliant 14.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 18.5 m Applications Power Managerment in Telec
jmsl1018agq.pdf
JMSL1018AGQ 100V 14.5mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 47 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 15.0 mW Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 18.7 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi
jmsl1018auq.pdf
JMSL1018AUQ 100V 16.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 29 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 16.2 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 20.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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