JMSL1018AP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL1018AP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 171 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0198 Ohm

Encapsulados: SOP8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMSL1018AP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSL1018AP datasheet

 ..1. Size:351K  jiejie micro
jmsl1018ap.pdf pdf_icon

JMSL1018AP

JMSL1018AP 100V 15.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_typ 1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 8A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_typ (@ VGS = 10V) 15.8 m RDS(ON)_typ (@ VGS = 4.5V) 19 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power

 5.1. Size:530K  jiejie micro
jmsl1018akq.pdf pdf_icon

JMSL1018AP

JMSL1018AKQ 100V 15.0mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 45 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 15.0 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 19.5 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified

 5.2. Size:610K  jiejie micro
jmsl1018agq.pdf pdf_icon

JMSL1018AP

JMSL1018AGQ 100V 14.5mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 47 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 15.0 mW Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 18.7 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

 5.3. Size:399K  jiejie micro
jmsl1018auq.pdf pdf_icon

JMSL1018AP

JMSL1018AUQ 100V 16.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 29 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 16.2 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 20.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q

Otros transistores... JMSL0612PGQ, JMSL0612PK, JMSL0612PP, JMSL0612PPD, JMSL0612PU, JMSL0613APD, JMSL1018AK, JMSL1018AKQ, P55NF06, JMSL1018AUQ, JMSL1018PG, JMSL1018PGD, JMSL1018PGQ, JMSL1018PK, JMSL1018PKQ, JMSL1020AGDQ, JMSL1020PGDQ