JMSL1018AP Todos los transistores

 

JMSL1018AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1018AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 171 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0198 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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JMSL1018AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  jiejie micro
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JMSL1018AP

JMSL1018AP100V 15.8m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_typ1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 8A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_typ (@ VGS = 10V)15.8 m RDS(ON)_typ (@ VGS = 4.5V)19 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power

 5.1. Size:530K  jiejie micro
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JMSL1018AP

JMSL1018AKQ100V 15.0mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 45 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)15.0 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)19.5 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified

 5.2. Size:610K  jiejie micro
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JMSL1018AP

JMSL1018AGQ100V 14.5mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 47 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)15.0 mW Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)18.7 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

 5.3. Size:399K  jiejie micro
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JMSL1018AP

JMSL1018AUQ100V 16.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 29 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)16.2 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)20.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q

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History: 2SK2386 | DHS015N06 | NTTD4401FR2 | DHS008N04P

 

 
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