JMSL1018PKQ Todos los transistores

 

JMSL1018PKQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1018PKQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 356 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMSL1018PKQ datasheet

 ..1. Size:1250K  jiejie micro
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JMSL1018PKQ

100V, 39A, 18m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1018PKQ Product Summary Features Low ON-resistance RDS(ON) Parameters Value Unit Excellent Gate Charge VDSS 100 V VGS(th)_Typ 100% UIS Tested 1.6 V ID(@VGS=10V) 39 A 100% Vds Tested RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 13 mW Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=6.0V 15 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V

 4.1. Size:1294K  jiejie micro
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JMSL1018PKQ

100V, 50A, 18.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1018PK Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 100 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 50 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 13.4 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 18.6 mW Load Switch PWM Application

 5.1. Size:1206K  jiejie micro
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JMSL1018PKQ

 5.2. Size:1179K  jiejie micro
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JMSL1018PKQ

100V, 27A, 19m Dual N-channel Power SGT MOSFET JMSL1018PGD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 27 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 14 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 19 mW Load Switch PWM Application

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History: JMSL0615PGDQ | JMTG4004A | 2SJ463A | AGM12T02LL | JMTG3008D | JMTG3008A | AGM15N10AP

 

 
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