JMTG3005A Todos los transistores

 

JMTG3005A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTG3005A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 296 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMTG3005A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  jiejie micro
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JMTG3005A

JMTG3005ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 60A Load SwitchRDS(ON)

 6.1. Size:1241K  jiejie micro
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JMTG3005A

30V, 103A, 5.7m N-channel Power Trench MOSFETJMTG3005CProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 103 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.7 mW Load Switch PWM Application P

 6.2. Size:1239K  jiejie micro
 jmtg3005b.pdf pdf_icon

JMTG3005A

30V, 94A, 5.5m N-channel Power Trench MOSFETJMTG3005BProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 94 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.5 mWApplications Load Switch PWM Application Pow

 7.1. Size:569K  1
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JMTG3005A

JMTG3002B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V,120A Load Switch R

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History: JMTG28DN10D

 

 
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