JMTG3008D Todos los transistores

 

JMTG3008D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTG3008D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 157 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
 

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JMTG3008D datasheet

 ..1. Size:1182K  jiejie micro
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JMTG3008D

 6.1. Size:512K  jiejie micro
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JMTG3008D

JMTG3008A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features 30V, 40A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:569K  1
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JMTG3008D

JMTG3002B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V,120A Load Switch R

 7.2. Size:799K  jiejie micro
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JMTG3008D

JMTG3002B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 120A Load Switch RDS(ON)

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History: JMSL1018PGQ | JMPC4N60BJ | AGM1075MNA

 

 
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