JMTG3008D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTG3008D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 157 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
Búsqueda de reemplazo de JMTG3008D MOSFET
JMTG3008D Datasheet (PDF)
jmtg3008d.pdf

30V, 41A, 8.7m Dual N-channel Power Trench MOSFETJMTG3008DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 41 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.1 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.7 mW PWM Application
jmtg3008a.pdf

JMTG3008ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETApplicationsFeatures 30V, 40A Load SwitchRDS(ON)
jmtg3002b.pdf

JMTG3002B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V,120A Load Switch R
jmtg3002b.pdf

JMTG3002BDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 120A Load SwitchRDS(ON)
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History: JMTG3005B
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