JMSL0615AGD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0615AGD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L-D

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JMSL0615AGD datasheet

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JMSL0615AGD

JMSL0615AGD 60V 10.5m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 31 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 10.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 13.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power M

 0.1. Size:371K  jiejie micro
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JMSL0615AGD

JMSL0615AGDQ 60V 10.5m Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 33 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 10.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 13.5 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 5.1. Size:284K  jiejie micro
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JMSL0615AGD

JMSL0615AV 60V 9.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 21 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 9.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Manag

 5.2. Size:282K  jiejie micro
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JMSL0615AGD

JMSL0615AUD 60V 11.0m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 24 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 11.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 14.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Powe

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