JMSL0615PGDQ Todos los transistores

 

JMSL0615PGDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0615PGDQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 444 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0108 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
 

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JMSL0615PGDQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1180K  jiejie micro
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JMSL0615PGDQ

60V, 37A, 12.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSL0615PGDQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 60 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.9 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 37 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8.3 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 12.1 mWApplication

 6.1. Size:371K  jiejie micro
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JMSL0615PGDQ

JMSL0615AGDQ60V 10.5m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 33 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)10.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)13.5 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 6.2. Size:284K  jiejie micro
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JMSL0615PGDQ

JMSL0615AV60V 9.8m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 21 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 9.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)12.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Manag

 6.3. Size:313K  jiejie micro
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JMSL0615PGDQ

JMSL0615AGD60V 10.5m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 31 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)10.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)13.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power M

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History: BL10N60-A | CS18N70F | UTT30P06G-TN3-R

 

 
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