JMSL0620AGDEQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0620AGDEQ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L-D

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JMSL0620AGDEQ datasheet

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JMSL0620AGDEQ

JMSL0620AGDEQ 60V 18m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 18.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 25 m Pb-free Lead Plati

 2.1. Size:318K  jiejie micro
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JMSL0620AGDEQ

JMSL0620AGDE 60V 18m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 18.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 25 m Pb-free Lead Platin

 4.1. Size:400K  jiejie micro
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JMSL0620AGDEQ

JMSL0620AGE 60V 16m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 31 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 23 m Pb-free Lead Plating, Hal

 4.2. Size:400K  jiejie micro
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JMSL0620AGDEQ

JMSL0620AGEQ 60V 16m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 23 m Pb-free Lead Plating, Ha

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