JMSL1070APD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL1070APD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SOP8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMSL1070APD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSL1070APD datasheet

 ..1. Size:328K  jiejie micro
 jmsl1070apd.pdf pdf_icon

JMSL1070APD

JMSL1070APD 100V 57m Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ 1.8 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 5.5 A Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 57 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 71 m Applications Power Management in Com

 5.1. Size:308K  jiejie micro
 jmsl1070ay.pdf pdf_icon

JMSL1070APD

JMSL1070AY 100V 54m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ 2.0 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 8.4 A Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 54 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 75 m Applications Power Management in Computing,

 5.2. Size:324K  jiejie micro
 jmsl1070ak.pdf pdf_icon

JMSL1070APD

JMSL1070AK 100V 57m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ 2.0 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 18.1 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 57 Halogen-free and RoHS-compliant m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 70 m Applications Power Management in Computi

 6.1. Size:1194K  jiejie micro
 jmsl1070py.pdf pdf_icon

JMSL1070APD

100V, 7.0A, 69m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1070PY Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 7.0 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 54 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 69 mW Applications Load Switch PWM Application Powe

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSL0620AGE, JMSL0620AGEQ, JMSL0620AUE, JMSL0630AG, JMSL0630AGD, JMSL0630AU, JMSL0803MG, JMSL1070AK, IRF520, JMSL1070AY, JMSL1070PY, JMSL10A13G, JMSL10A13GD, JMTG016N04A, JMTG018N03A, JMTG021N04A, JMTG027N04A