JMTG060N06A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTG060N06A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 67 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 392 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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JMTG060N06A datasheet

 ..1. Size:404K  jiejie micro
jmtg060n06a.pdf pdf_icon

JMTG060N06A

JMTG060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,90 A Load Switch R

 7.1. Size:1356K  jiejie micro
jmtg060p03a.pdf pdf_icon

JMTG060N06A

-30V, -111A, 5.8m P-channel Power Trench MOSFET JMTG060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -111 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 3.8 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 5.8 mW Applications Load Switch PWM Applicat

 8.1. Size:727K  jiejie micro
jmtg062n04d.pdf pdf_icon

JMTG060N06A

JMTG062N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 55A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:575K  1
jmtg040n03a.pdf pdf_icon

JMTG060N06A

JMTG040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 80A Load Switch R

Otros transistores... JMTG018N03A, JMTG021N04A, JMTG027N04A, JMTG030P02A, JMTG035N04A, JMTG035N04L, JMTG050P03A, JMTG055N04A, IRF740, JMSL1004BG, JMSL1004RG, JMSL1005PC, JMSL1005PG, JMSL1005PK, JMSL1006AG, JMSL1006AGQ, JMSL1006AK