JMSL1006PG Todos los transistores

 

JMSL1006PG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1006PG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1529 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSL1006PG datasheet

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JMSL1006PG

100V, 115A, 5.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1006PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 115 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.3 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.5 mW Load Switch PWM Application P

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JMSL1006PG

100V, 109A, 6.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1006PGS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 109 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.4 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.4 mW Load Switch PWM Application

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JMSL1006PG

 6.1. Size:325K  jiejie micro
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JMSL1006PG

JMSL1006AGQ 100V 4.7m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th) 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 110 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 5.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified

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