JMSL1006PG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL1006PG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1529 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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JMSL1006PG datasheet

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JMSL1006PG

100V, 115A, 5.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1006PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 115 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.3 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.5 mW Load Switch PWM Application P

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JMSL1006PG

100V, 109A, 6.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1006PGS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 109 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.4 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.4 mW Load Switch PWM Application

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JMSL1006PG

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JMSL1006PG

JMSL1006AGQ 100V 4.7m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th) 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 110 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 5.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified

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