JMSL1006PGS Todos los transistores

 

JMSL1006PGS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1006PGS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 109 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1159 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSL1006PGS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1241K  jiejie micro
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JMSL1006PGS

100V, 109A, 6.4m N-channel Power SGT MOSFETJMSL1006PGSProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 109 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.4 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.4 mW Load Switch PWM Application

 4.1. Size:1289K  jiejie micro
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JMSL1006PGS

100V, 120A, 5.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSL1006PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 100 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.6 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 120 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.5 mWApplications

 4.2. Size:1240K  jiejie micro
 jmsl1006pg.pdf pdf_icon

JMSL1006PGS

100V, 115A, 5.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSL1006PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 115 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.3 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.5 mW Load Switch PWM Application P

 6.1. Size:325K  jiejie micro
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JMSL1006PGS

JMSL1006AGQ100V 4.7m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 110 A RDS(ON) (@ VGS = 10V)4.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)5.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified

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