JMSL1008AC Todos los transistores

 

JMSL1008AC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1008AC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 114 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 368 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JMSL1008AC datasheet

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JMSL1008AC

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JMSL1008AC

JMSL1008AGQ 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 88 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 5.2. Size:289K  jiejie micro
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JMSL1008AC

JMSL1008AG 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 93 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 6.0 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment

 5.3. Size:325K  jiejie micro
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JMSL1008AC

JMSL1008AK 100V 6.7m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 82 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Pow

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History: SLD65R700S2 | DH100P28B

 

 
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