JMTG070N06A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTG070N06A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 297 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMTG070N06A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMTG070N06A datasheet

 ..1. Size:419K  jiejie micro
jmtg070n06a.pdf pdf_icon

JMTG070N06A

JMTG070N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 70A Load Switch R

 8.1. Size:1592K  jiejie micro
jmtg075c03d.pdf pdf_icon

JMTG070N06A

 9.1. Size:575K  1
jmtg040n03a.pdf pdf_icon

JMTG070N06A

JMTG040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 80A Load Switch R

 9.2. Size:1425K  jiejie micro
jmtg050p03a.pdf pdf_icon

JMTG070N06A

-30V, -80A, 5.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTG050P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -80 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 3.7 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 5.2 mW Applications Load Swit

Otros transistores... JMSL1006PGQ, JMSL1006PGS, JMSL1008AC, JMSL1008AE, JMSL1008AG, JMSL1008AGQ, JMTG060P03A, JMTG062N04D, IRFB4115, JMTG075C03D, JMTG080N04D, JMTG080P03A, JMTG100C03D, JMTG100N03A, JMTG100N04A, JMTG100N06A, JMTG100N06D