JMTG100N06A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTG100N06A 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6-8L
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JMTG100N06A datasheet
jmtg100n06a.pdf
60V, 55A, 8.9m N-channel Power Trench MOSFET JMTG100N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 55 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.7 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.9 mW Applications Load Switch
jmtg100n06d.pdf
60V, 33A, 11.7m Dual N-channel Power Trench MOSFET JMTG100N06D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 33 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 10.4 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 11.7 mW Applications Load Switch PWM Applicatio
jmtg100n03a.pdf
JMTG100N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 30A Load Switch RDS(ON)
jmtg100n04a.pdf
JMTG100N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 40A Load Switch RDS(ON)
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
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