MPT045N08P Todos los transistores

 

MPT045N08P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPT045N08P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 637 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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MPT045N08P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:875K  cn minos
 mpt045n08p mpt045n08s.pdf pdf_icon

MPT045N08P

85V N-Channel Power MOSFETDescriptionMPT045n08, the N-channel Enhanced Power MOSFETs,is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss, improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable device formotor drivers and high speed switching applications.General Features V =85V, R

 9.1. Size:819K  cn minos
 mpt042n10p mpt042n10s.pdf pdf_icon

MPT045N08P

100V N-Channel Power MOSFETDescriptionMPT042N10, the N-channel Enhanced Power MOSFETs,is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss, improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor motor drivers and high speed switching applications.General Features V =100V, R

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