MPT045N08S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPT045N08S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 637 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO263

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MPT045N08S datasheet

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MPT045N08S

85V N-Channel Power MOSFET Description MPT045n08, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for motor drivers and high speed switching applications. General Features V =85V, R

 9.1. Size:819K  cn minos
 mpt042n10p mpt042n10s.pdf pdf_icon

MPT045N08S

100V N-Channel Power MOSFET Description MPT042N10, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for motor drivers and high speed switching applications. General Features V =100V, R

Otros transistores... MPG50N06P, MPG55N06P, MPT028N10S, MPT037N08P, MPT037N08S, MPT042N10P, MPT042N10S, MPT045N08P, 2N60, MPT65N08, MPT65N08S, P80NF70, AO3400S, AO3401S, IRLR024NTR, K3878, MD20N60