2SK3271-01 Todos los transistores

 

2SK3271-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK3271-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 155 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Tiempo de elevación (tr): 200 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1250 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0065 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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2SK3271-01 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk3271-01.pdf Size:255K _update-mosfet

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N-channel MOS-FET 2SK3271-01 6,5mΩ Trench Gate MOSFET 60V ±100A 155W > Features > Outline Drawing - High Current - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - Avalanche Rated > Applications - Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC converters > Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit - Absolute Maximum Ratings (TC=25°C),

1.2. 2sk3271-01.pdf Size:255K _fuji

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N-channel MOS-FET 2SK3271-01 6,5mΩ Trench Gate MOSFET 60V ±100A 155W > Features > Outline Drawing - High Current - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - Avalanche Rated > Applications - Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC converters > Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit - Absolute Maximum Ratings (TC=25°C),

 3.1. 2sk3271.pdf Size:266K _inchange_semiconductor

2SK3271-01
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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3271 ·FEATURES ·With TO-3P packaging ·High speed switching ·Standard level gate drive ·Easy to use ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Power supply ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sour

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