DMN3052L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN3052L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: SOT23

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DMN3052L datasheet

 ..1. Size:159K  diodes
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DMN3052L

DMN3052L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 RDS(ON)

 ..2. Size:91K  tysemi
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DMN3052L

Product specification DMN3052L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 RDS(ON)

 0.1. Size:170K  diodes
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DMN3052L

DMN3052LSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SO-8 30m @ VGS = 10V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 40m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020

 8.1. Size:193K  diodes
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DMN3052L

DMN3051L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 RDS(ON)

Otros transistores... DMN3024LSS, DMN3030LSS, DMN3031LSS, DMN3033LDM, DMN3033LSD, DMN3033LSN, DMN3051L, DMN3051LDM, 4N60, DMN3052LSS, DMN3112S, DMN3112SSS, DMN3115UDM, DMN3150L, DMN3150LW, DMN3200U, DMN32D2LDF