APJ30N65T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APJ30N65T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm

Encapsulados: TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de APJ30N65T MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

APJ30N65T datasheet

 ..1. Size:1551K  cn apm
 apj30n65f apj30n65p apj30n65t ap65r340.pdf pdf_icon

APJ30N65T

APJ30N65FIPIT (AP65R340) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ30N65F/P/T is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 740V

Otros transistores... AP6G03S, AP6P04S, AP8G06S, APG120N04NF, APG60N10S, AP65R650, APJ30N65F, APJ30N65P, IRF640, APJ50N65F, APJ50N65P, APJ50N65T, AP65R190, APN9N50D, APJ14N65D, APJ14N65F, APJ14N65P