APJ10N65P Todos los transistores

 

APJ10N65P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APJ10N65P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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APJ10N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1554K  cn apm
 apj10n65f apj10n65t apj10n65p ap65r950.pdf pdf_icon

APJ10N65P

APJ10N65FITIP (AP65R950) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ10N65F/T/P is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type730V

 6.1. Size:1579K  cn apm
 apj10n65d ap65r950.pdf pdf_icon

APJ10N65P

APJ10N65D (AP65R950) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ10N65D is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ10N65D is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type720V IDM =10A

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