AP120N08P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP120N08P 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 546 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: TO220

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

AP120N08P datasheet

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ap120n08p ap120n08t.pdf pdf_icon

AP120N08PIT 85V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N08P/T uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 85V I =120A DS D R

6.1. Size:1517K cn apm
ap120n08nf.pdf pdf_icon

AP120N08NF 85V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N08NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 85V I =120A DS D R

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ap120n03.pdf pdf_icon