DMN4800LSS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN4800LSS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 798 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SO8

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DMN4800LSS datasheet

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DMN4800LSS

DMN4800LSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOP-8L 14m @ VGS = 10V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 20m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020D Lo

 0.1. Size:217K  diodes
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DMN4800LSS

DMN4800LSSL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefitss 14m @ VGS = 10V ID max V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage 14m @ VGS = 10V 8.0A 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 20m @ VGS = 4.5V 6.7A Halogen and Antimony Free. Gr

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DMN4800LSS

DMN4800LSSQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max Low Input Capacitance BVDSS RDS(ON) max TA = +25 C Fast Switching Speed 14m @ VGS = 10V 8.6A Low Input/Output Leakage 30V 20m @ VGS = 4.5V 7.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Devi

Otros transistores... DMN32D2LFB4, DMN32D2LV, DMN3300U, DMN3404L, DMN3730U, DMN3730UFB, DMN3730UFB4, DMN4468LSS, P60NF06, DMN4800LSSL, DMS3016SFG, DMS3016SSSA, ZXM61N03F, ZXM62N03G, ZXMD63N03X, ZXMN3A01E6, ZXMN3A01F