AP90N02D MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AP90N02D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP90N02D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 81 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO252

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AP90N02D datasheet

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AP90N02D 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90N02D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =90A DS D R

7.1. Size:1655K cn apm
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AP90N02NF 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90N02NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =90 A DS D R

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