ATM3401APSA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATM3401APSA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SOT23

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ATM3401APSA datasheet

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ATM3401APSA

ATM3401APSA P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage -30V Drain Current -4.2A DESCRIPTIONS SOT-23 The ATM3401APSA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES Schematic diagram V =

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ATM3401APSA

ATM3401PSA P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage -30V Drain Current -4.2A Features Trench FET Power MOSFET Exceptional on-resistance and maximum DC current capability R

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ATM3401APSA

ATM3400ANSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 5.8A FEATURES SOT-23 Trench FET Power MOSFET R

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ATM3401APSA

ATM3404NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 5A Features Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R

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