ATM3415KPSA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATM3415KPSA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 121.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT23

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ATM3415KPSA datasheet

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ATM3415KPSA

ATM3415KPSA P-Channel Enhancement Mode Power Transistor Drain-Source Voltage -20V Continuous Drain Current -4A Features Low gate charge High density cell design for ultra low R DS(on) ESD protected(HBM) up to2KV Application Load switch PWMapplications Power management Absolute Maximum Ratings Ratings at T =25 unless otherwise specified. A Parameter Sy

 9.1. Size:961K  agertech
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ATM3415KPSA

ATM3400ANSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 5.8A FEATURES SOT-23 Trench FET Power MOSFET R

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ATM3415KPSA

ATM3401PSA P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage -30V Drain Current -4.2A Features Trench FET Power MOSFET Exceptional on-resistance and maximum DC current capability R

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ATM3415KPSA

ATM3404NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 5A Features Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R

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