AGM2309EL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AGM2309EL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de AGM2309EL MOSFET
AGM2309EL Datasheet (PDF)
agm2309el.pdf
AGM2309ELTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A -60 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =-60V,V =0V -- -- -1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltag
agm2319el.pdf
AGM2319ELTypical Characteristics88VDS= -3VVGS = -10V VGS = -4.5V 6 6VGS = -3.5V VGS = -3V 4422VGS = -2.5V 000 1 2 3 4 50 1 2 3 4Drain-source voltage -VDS (V) Gate-source voltage -VGS (V)Figure 1. Output Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics30010ID= -5A25020011501000.1 500.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0 3 6 9 12 15Source-drain
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History: AGM218MAP
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