AGM655D Todos los transistores

 

AGM655D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AGM655D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO252

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AGM655D datasheet

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AGM655D

AGM655D 80 VGS=4.5V 70 1 150 25 VGS=10V 60 Tj=25 0.1 50 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 012345 Vsd- Source to Drain Voltage (V) ID-Drain Current (A) Figure 7. RDS(on) VS Drain Current Figure 8. Forward characteristics of reverse diode 1.15 1.4 ID=250uA ID=250uA 1.2 1.1 1 1.05 0.8 1 0.6 0.95 0.4 0.9 0.2 -75 -25 25 75 125 175 -75 -25 25 75 125 175 Tj-Junction

 9.1. Size:908K  cn agmsemi
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AGM655D

AGM65R380F Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A GS D 650 -- -- V Zero Gate Voltage Drain Current V =650V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltag

Otros transistores... AGM401LL , AGM4025A , AGM4025D , AGM628M , AGM628MAP , AGM628MD , AGM628MN , AGM628S , K2611 , AGM65R380F , AGM665D , AGM665E , AGM6N20D , AGM7N65D , AGM85P10A , AGM85P10D , AGMH022N10H .

History: APM7318 | MDT4N65 | 2SJ683 | 2SK3337-01 | AGM628MD | 2SK1703 | MTP12N18

 

 

 

 

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